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由 winniewei 提交于

<p>存储大厂SK海力士的CEO李锡熙(Seok-Hee Lee)近日在IEEE国际可靠性物理研讨会上发表主题演讲，分享了在闪存、内存未来发展方面的一些规划和展望。3D NAND闪存方面，如今行业的发展重点不是更先进的工艺，也不是QLC、PLC，而是堆叠层数的不断增加，SK海力士就已经做到了176层。</p>

<p><strong>SK海力士此前认为，3D闪存的堆叠层数极限是500层，不过现在更加乐观，认为在不远的将来就能做到600层。</strong></p>

<p>当然，为了做到这一点，需要在技术方面进行诸多创新和突破，比如SK海力士提出了<strong>原子层沉积(ALD)技术</strong>，进一步强化闪存单元属性，可以更高效地存储、释放电荷，并且在堆叠层数大大增加后依然保持电荷一致性。</p>

<p>为了解决薄膜应力(film stress)问题，SK海力士引入了<strong>新的氮氧化物材料</strong>。</p>

<p>为了解决堆叠层数增加后存储单元之间的干扰、电荷丢失问题，SK海力士开发了<strong>独立的电荷阱氮化物(CTN)结构</strong>，以增强可靠性。</p>

<p><strong>另外针对DRAM内存发展，SK海力士在考虑引入EUV极紫外光刻，可将工艺制程推进到10nm以下。</strong></p>

<p><img alt="SK海力士：NAND闪存将堆叠超过600层" data-entity-type="file" data-entity-uuid="38ec1512-e482-48a3-bc2e-86db9ac9e4fe" src="http://new.eetrend.com/files/2021-03/wen_zhang_/100063319-127065-1.png&…; /></p>

<p>来源：<a href="https://news.mydrivers.com/1/747/747034.htm">快科技</a></p&gt;