SiC

2020年10月26日，美国新泽西州普林斯顿 --- 碳化硅（SiC）功率半导体的领先制造商美商联合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布，将推出四种新型结势垒肖特基（JBS）二极管，以补充FET和JFET晶体管产品。

专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始备货Microchip Technology的全新AgileSwitch®相臂SiC MOSFET模块。

贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始备货Microchip Technology的全新

碳化硅（SiC）功率MOSFET受到很多关注，因为它们既可以快速开关，又能同时保持高阻断电压。但是它们出色的开关特性也伴随潜在的缺点。由不理想的电路板布局引起的寄生电感，以及碳化硅MOSFET的快速dv/dt和di/dt质量，可能产生电压和电流过冲、开关损耗和系统不稳定性问题。为了避免这些困难，设计人员必须深入了解碳化硅MOSFET的开关特性。

基于碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽带隙(WBG)半导体的新型高效率、超快速功率转换器已经开始在各种创新市场和应用领域攻城略地——这类应用包括太阳能光伏逆变器、能源存储、车辆电气化（如充电器和牵引电机逆变器）。为了充分利用新型功率转换技术，必须在转换器设计中实施完整的IC生态系统，从最近的芯片到功率开关和栅极驱动器。

1、SiC材料的物性和特征

了解我们的隔离、控制、检测和通信技术如何直接通过部署WBG（宽带隙）功率转换及日益复杂的多级控制拓扑来解决面临的挑战。