Vishay WSBE Power Metal Strip®分流电阻器节省空间，简化设计并提高精度 winniewei / 周三, 12 三月 2025 - 10:23 这些器件采用8518和8536外壳尺寸，TCR低至± 10 ppm/°C，电阻低至15 mW，额定功率达50 W 阅读更多 关于 Vishay WSBE Power Metal Strip®分流电阻器节省空间，简化设计并提高精度登录 发表评论
Vishay推出新型Cyllene 2 IC以升级红外遥控应用的VSOP383xx系列前置放大电路 winniewei / 周三, 5 三月 2025 - 14:13 这些器件采用紧凑型QFN封装，可提供更宽的电压范围、增强的黑暗环境灵敏度，以及在强DC光和Wi-Fi噪声下的更优性能 阅读更多 关于 Vishay推出新型Cyllene 2 IC以升级红外遥控应用的VSOP383xx系列前置放大电路登录 发表评论
Vishay推出多款采用工业标准SOT-227封装的650 V和1200 V SiC肖特基二极管，提升高频应用效率 winniewei / 周四, 27 二月 2025 - 14:13 40 A至240 A双二极管和单相桥式器件正向压降低至1.36 V，QC仅为56 nC 阅读更多 关于 Vishay推出多款采用工业标准SOT-227封装的650 V和1200 V SiC肖特基二极管，提升高频应用效率登录 发表评论
Vishay最新推出可满足严苛要求的高精度60mm感应式位置传感器 winniewei / 周五, 7 二月 2025 - 09:55 RAIK060可在靠近电机处使用，比磁编码器更轻薄，而且转速更高，延迟时间更短 阅读更多 关于 Vishay最新推出可满足严苛要求的高精度60mm感应式位置传感器登录 发表评论
Vishay推出适用于恶劣环境应用的的微型密封多匝SMD微调电位器 winniewei / 周四, 6 二月 2025 - 09:43 这些节省空间的器件采用3 mm x 4 mm x 4 mm的尺寸紧凑，具有IP67密封等级，可在+150 °C的高温下运行 阅读更多 关于 Vishay推出适用于恶劣环境应用的的微型密封多匝SMD微调电位器登录 发表评论
Vishay 推出新款精密薄膜MELF电阻，可减少系统元器件数量，节省空间，简化设计并降低成本 winniewei / 周四, 19 十二月 2024 - 10:52 器件采用0102、0204和 0207封装，TCR低至 15 ppm/K，公差仅为 0.1 %，阻值高达10 M 阅读更多 关于 Vishay 推出新款精密薄膜MELF电阻，可减少系统元器件数量，节省空间，简化设计并降低成本登录 发表评论
Vishay全集成接近传感器荣获2024年度中国IoT创新奖和2024年度EE Awards亚洲金选奖 winniewei / 周四, 12 十二月 2024 - 14:37 VCNL36828P采用VCSEL和智能双I2C从机地址，在紧凑的2.0 mm x 1.0 mm x 0.5 mm SMD封装中提供低至5 μA的待机电流 阅读更多 关于 Vishay全集成接近传感器荣获2024年度中国IoT创新奖和2024年度EE Awards亚洲金选奖登录 发表评论
Vishay 推出应用于对安全要求极高的电子系统的新款1 Form A固态继电器 winniewei / 周三, 11 十二月 2024 - 10:58 这款节省空间的工业级器件提供了典型值为 0.3 ms的快速导通时间和2 nA的低漏电流 阅读更多 关于 Vishay 推出应用于对安全要求极高的电子系统的新款1 Form A固态继电器登录 发表评论
Vishay推出性能先进的新款40 V MOSFET winniewei / 周三, 4 十二月 2024 - 16:22 器件占位面积小，采用BWL设计，ID高达795 A，可提高功率密度，而且低至0.21 C/W的RthJC可优化热性能 阅读更多 关于 Vishay推出性能先进的新款40 V MOSFET登录 发表评论
Vishay推出采用eSMP®系列SMF（DO-219AB）封装的全新1 A和2 A Gen 7 1200 V FRED Pt®超快恢复整流器 winniewei / 周二, 26 十一月 2024 - 14:49 器件Qrr低至105 nC，VF为1.10 V，在降低开关损耗的同时，可降低寄生电容并缩短恢复时间 阅读更多 关于 Vishay推出采用eSMP®系列SMF（DO-219AB）封装的全新1 A和2 A Gen 7 1200 V FRED Pt®超快恢复整流器登录 发表评论