MOSFET

半导体基础元器件领域的高产能生产专家Nexperia响应行业需求，通过定义一组全新的MOSFET产品，最大限度提高性能。

东芝电子元件及存储装置株式会社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，简称“东芝”）推出1200V碳化硅(SiC) MOSFET “TW070J120B”。该产品面向大容量电源等工业应用，于即日起出货。

专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始备货Microchip Technology的全新AgileSwitch®相臂SiC MOSFET模块。

欧时电子（RS Components，简称：RS）是Electrocomponents plc公司（全球工业客户及供应商全方位解决方案合作伙伴）（伦敦证交所：ECM）的一个贸易品牌，现在中国和日本引进了安森美最新的1200V碳化硅（SiC） MOSFET（场效应晶体管）。这些基于碳化硅技术的功率分离元件能够挑战性能极限。

贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始备货Microchip Technology的全新

【好详细】理解MOSFET的每个特性参数的分析！

由 cathy 提交于周四, 19 三月 2020 - 13:42

1.绝对最大额定值

本视频将向您介绍Vishay TrenchFET 第四代顶侧双面冷却MOSFET的内容。

碳化硅（SiC）功率MOSFET受到很多关注，因为它们既可以快速开关，又能同时保持高阻断电压。但是它们出色的开关特性也伴随潜在的缺点。由不理想的电路板布局引起的寄生电感，以及碳化硅MOSFET的快速dv/dt和di/dt质量，可能产生电压和电流过冲、开关损耗和系统不稳定性问题。为了避免这些困难，设计人员必须深入了解碳化硅MOSFET的开关特性。