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东芝的新款150V N沟道功率MOSFET具有业界领先的低导通电阻和改进的反向恢复特性,有助于提高电源效率

winniewei /

东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布,推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”,其采用最新一代[1]U-MOSX-H工艺,可用于工业设备开关电源,涵盖数据中心和通信基站等电源应用。该产品于今日开始支持批量出货。

车规MOSFET技术确保功率开关管的可靠性和强电流处理能力

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如今,出行生态系统不断地给汽车设计带来新的挑战,特别是在电子解决方案的尺寸、安全性和可靠性方面提出新的要求。此外,随着汽车电控制单元 (ECU) 增加互联和云计算功能,必须开发新的解决方案来应对这些技术挑战。

MOSFET