电源系统设计优化秘技：单片驱动器+MOSFET(DrMOS) winniewei / 周五, 21 十月 2022 - 14:50 现阶段，多核架构使微处理器在水平尺度上变得更密集、更快速，令这些器件所需功率急剧增加，直接导致向微处理器供电的稳压器模块(VRM)的升级需求： 阅读更多 关于 电源系统设计优化秘技：单片驱动器+MOSFET(DrMOS)登录 发表评论
Nexperia发布超小尺寸DFN MOSFET winniewei / 周三, 6 七月 2022 - 15:10 DFN0603封装提高性能并显著减少空间需求 阅读更多 关于 Nexperia发布超小尺寸DFN MOSFET登录 发表评论
豪威集团发布业内最低内阻双N沟道MOSFET winniewei / 周二, 28 六月 2022 - 10:56 电源管理系统要实现高能源转换效率、完善可靠的故障保护，离不开高性能的开关器件。近日，豪威集团全新推出两款MOSFET：业内最低内阻双N沟道MOSFET WNMD2196A和SGT 80V N沟道MOSFET WNM6008。 阅读更多 关于 豪威集团发布业内最低内阻双N沟道MOSFET登录 发表评论
东芝推出五款新型MOSFET栅极驱动IC，助力移动电子设备小型化 winniewei / 周二, 7 六月 2022 - 13:57 TCK42xG系列支持外部背对背MOSFET 阅读更多 关于 东芝推出五款新型MOSFET栅极驱动IC，助力移动电子设备小型化登录 发表评论
Nexperia推出用于自动安全气囊的专用MOSFET (ASFET)新产品组合 winniewei / 周四, 12 五月 2022 - 09:39 在LFPAK封装中采用新型SOA（安全工作区） Trench技术，可提供出色的瞬态线性模式性能，为设计人员带来体积更小、更可靠的选择。 阅读更多 关于 Nexperia推出用于自动安全气囊的专用MOSFET (ASFET)新产品组合登录 发表评论
安森美推出全球首款TOLL封装650 V碳化硅MOSFET winniewei / 周三, 11 五月 2022 - 11:29 新器件缩小封装尺寸60%，增强性能并减少损耗 阅读更多 关于 安森美推出全球首款TOLL封装650 V碳化硅MOSFET登录 发表评论
干货 | 10 A电子保险丝可为48 V电源提供紧凑型过流保护 winniewei / 周四, 28 四月 2022 - 11:02 本文介绍一种外形紧凑、纤薄、响应速度快的10 A电子保险丝，它没有上述这些无源保险丝缺点。电子保险丝可在高达48 V的DC电源轨上提供过流保护。 阅读更多 关于 干货 | 10 A电子保险丝可为48 V电源提供紧凑型过流保护登录 发表评论
ROHM的600V耐压超级结MOSFET 新增“R60xxVNx系列”的7款机型 winniewei / 周四, 7 四月 2022 - 15:56 非常有助于降低工业设备和白色家电的功耗 阅读更多 关于 ROHM的600V耐压超级结MOSFET 新增“R60xxVNx系列”的7款机型登录 发表评论
东芝推出采用最新一代工艺的150V N沟道功率MOSFET，可大幅提高电源效率 winniewei / 周四, 31 三月 2022 - 13:36 东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。 阅读更多 关于 东芝推出采用最新一代工艺的150V N沟道功率MOSFET，可大幅提高电源效率登录 发表评论
Nexperia先进电热模型可覆盖整个MOSFET工作温度范围 winniewei / 周四, 24 三月 2022 - 10:01 新模型还可在原型设计前对EMC性能进行调查 阅读更多 关于 Nexperia先进电热模型可覆盖整个MOSFET工作温度范围登录 发表评论